为什么半导体工艺需要新材料？ 随着芯片制程进入2nm时代（相当于头发丝的万分之一粗细），传统金属导线材料——钨（W）和铜（Cu）遇到了致命瓶颈： • 钨：沉积时会释放氟（···

【导语】随着半导体工艺向3nm以下节点迈进，传统铜互连技术因电阻率攀升与电迁移问题面临严峻挑战。全球半导体设备巨头Lam Research早前宣布推出全球首款钼（Mo）原子层沉积···

碳材料（如石墨和碳/碳复合材料）因其优异的高温稳定性和机械性能，被广泛应用于航空航天、能源存储等领域。然而，碳材料在370°C以上易氧化失效，超高温环境下抗侵蚀性差，···

近日，美国化学学会期刊《JACS》发表了一项由Andrew Novick、Vladan Stevanovic等学者合作完成的重要研究，题为《Basin-Size Mapping: Prediction of Metastable Polymorph···

全固态锂电池（ASSLBs）因其高能量密度和优异安全性被视为未来电池技术的重要方向。然而，高离子导电的固态电解质材料开发仍是关键瓶颈。近年来，卤化物固态电解质因其优良···